SJ 50033.27-1994 半导体分立器件2EC600系列砷化镓变容二极管详细规范
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ID： |
6FA9C0178E64491B9ECB85F46300F11B |
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文件大小(MB)： |
0.34 |
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页数： |
8 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-29 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/27-94,半导体分立器件,2EC600系列珅化节羲容二极管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for GaAs varactor diodes for,2EC600 series,1994-09-3。发布1994-12 - 01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,2EC600系列珅化镣变容二极管,详细规范,SJ 50033/27-94,Semiconductor discrete device,Detail specification for GaAs varactor diodes for,2EC600 series,1范围,1.1 主题内容,本规范规定了 2EC6OO系列碑化镶变容二极管（以下简称器件）的详细要求.,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》L 3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超,特军三级，分别用字母GP,GT和GCT表示,2 ,引用文件,GB 6570-86微波二级管测试方法,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128—86半导体分立器件试验方法,GJB 半导体分立器件微波二极管外形尺寸,3要求,3.1 详细要求,各项要求应符合GJB 33和本规范的规定.,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3. 2.1引出端材料和涂层,引出端材料应为铜，表面涂层应为金,中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12^01 实施,—1 —,SJ 50033/27-94,3. 2.2外形尺寸,外形尺寸按G；B 半导体分立器件 微波二极管外形尺寸的W8—Q2型，如图1,mm,符号,尺寸,min max,2.54 2. 66,沏1.72 L88,平E 0. 94 LOO,II 2-8 3.6,/fl 1. 5 za,C 0. 60 Q. 80,图1,3.3 最大额定值和主要电特性,3.2.1景大额定值,注:DTsi,在25~125X：之间按0. 67mW/C线性降额,1) 相兀埴Top,匕旧,兀 mb = 25 C /r = 10rA,(mW) *V) .,100 30 一 65 .-75 —55 .+ 125 -,-2 -,SJ 50033/27-94,3.3.2主要电特性CG汕= 25t）,\极,\限,V 型号、,C(tat}y,Vr = 0V,z=imhz,(pF),y(BHJ,z8-10^A,(V),匕
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